在2016年度闪存峰会上，SAMSUNG（三星）除了发布了他们的第四代3D V-NAND立体堆叠闪存（64层）之外，还重磅推出一种采用独特的电路设计的3D V-NAND芯片——Z-SSD，能够提供远超其它V-NAND SSD的速度表现。三星Z-SSD将于年内推出1TB Z-SSD产品，明年发布2TB与4TB两种容量版本。

三星的Z-SSD采用V-NAND基础结构，配合独特的电路设计及控制器，这种Z-NAND与V-NAND同样属于NAND并采用分层设计，三星称其延迟可以达到三星PM863 NVMe SSD的四分之一，连续读取性能是PM863 NVMe SSD的1.6倍。目前三星PM963的最高连续读取传输带宽为1.6GB/s，Z-SSD的连续读取应可提升至2.5GB/s。目前高性能NVMe SSD的写入延迟为30ns，四分之一的话Z-SSD的延迟可能为7.5ns，如果属实已经接近英特尔Optane XPoint产品的7ns。

三星公司将Z-SSD方案定位在SSD与非易失性DRAM之间，这一领域此前只有Intel的3D XPoint相关产品涉足。通过目前公布的1TB版本产品照片，其长度厚度都至少达到Intel 750 SSD的水准，体积相当大并且辅以夸张的散热片设计，使用的应是PCI-E x8接口。